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Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-Speicherzellen

Research at NaMLab, Bd. 1

Thomas Melde

ISBN 978-3-8325-2748-8
156 pages, year of publication: 2011
price: 41.50 €
Im Rahmen dieser Arbeit werden haftstellen-basierte Speicherzellen als mögliche Alternative zum bestehenden Floating-Gate Konzept untersucht. Hierbei wird zunächst mittels Simulation und ausgewählten Messverfahren das Verständnis der Funktionsweise vertieft. Der darauffolgende Abschnitt befasst sich mit der Verbesserung der elektrischen Eigenschaften, basierend auf Änderungen der verwendeten Materialien und dem räumlichen Aufbau. Abschließend erfolgt die Untersuchung der Anwendbarkeit des Zellkonzeptes in hochdichten Zellenfeldern.

Keywords:
  • Halbleiter
  • Speicher
  • Mikroelektronik
  • NAND Flash-Speicher
  • Transistor

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