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Querschnitts-Raster-Tunnel-Mikroskopie an Silizium-Spaltflächen

Roland Nuffer

ISBN 978-3-89722-664-7
82 pages, year of publication: 2001
price: 40.50 €
Zusammenfassung

Die Strukturanalyse von Halbleitermaterialien und -bauelementen mit extrem hoher räumlicher Auflösung gewinnt in dem Maße an Bedeutung, wie das epitaktische Kristallwachstum und die Halbleiter-Prozeßtechnologien verbessert werden.

In dieser Arbeit wird die zweidimensionale Charakterisierung steiler Dotierungsprofile mit Hilfe der Querschnitts-Raster-Tunnel-Mikroskopie (Cross-Sectional Scanning-Tunneling-Microscoy) analysiert. Zu diesem Zweck wird durch Spalten von Silizium-Proben (in situ oder ex situ) ein Querschnitt der Halbleiterstruktur erzeugt und diese Querschnittsfläche im Ultrahoch-Vakuum untersucht. Voraussetzung für den erfolgreichen Einsatz dieser Technik sind atomar glatte Spaltflächen. Daher ist die Entwicklung einer Präparationstechnik zur Erzeugung solcher Spaltflächen wesentlicher Bestandteil der Arbeit. Es erfolgt eine Bewertung der Methode im Hinblick auf die genannte Zielstellung (Vergleich mit der Elektronen-Holographie sowie der Raster-Kapazitäts-Mikroskopie), und die Grenzen werden aufgezeigt.

Keywords:
  • STM/STS
  • Rastertunnelmikroskopie
  • Halbleiter
  • Dotierungsprofil

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