MENÜ MENÜ  

cover

Herstellung ultra-dünner hoch-εr Oxide und deren Verhalten unter dynamischen elektrischen Stressbedingungen

Research at NaMLab, Bd. 6

Steve Knebel

ISBN 978-3-8325-4994-7
165 Seiten, Erscheinungsjahr: 2019
Preis: 49.50 €
Herstellung ultra-dünner hoch-εr Oxide und deren Verhalten unter dynamischen elektrischen Stressbedingungen
Im Rahmen dieser Arbeit werden HfO2 und ZrO2 basierte hoch-εr Materialsysteme mit ihrer jeweiligen Anwendung als Gateoxid bzw. DRAM Isolalationsschicht untersucht. Es werden alternative dielektrische Schichten für Speicherkondensatoren diskutiert und Alternativen zum ZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ) Schichtstapel untersucht. Neben ZAZ, wurden Schichtstapel mit SrO oder Sc2O3 Zwischenschicht abgeschieden und strukturell und elektrisch charakterisiert. Weiterhin wurden die abgeschiedenen Schichten hinsichtlich ihres dielektrischen Absorptionsverhalten sowie ihres Durchbruchsverhalten geprüft und verglichen. Ein weiterer Schwerpunkt ist das statische und dynamische Verhalten des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs. Als Alternative zum DRAM Konzept wird die ferroelektrische Eigenschaft von dotierten HfO2 und dessen Einsatz als ferroelektrischer RAM vorgestellt. Bei diesem Konzept wird das paraelektrische Dielektrikum eines DRAMs durch das ferroelektrische Material ersetzt. Des Weiteren wurde im Rahmen dieser Arbeit HfO2 als hoch-εr Dielektrikum für Transistoren mit metallischem Gate (HKMG) untersucht. Mittels temperaturabhängigen Leckstrommessungen wird der dominante Leistungsmechanismus untersucht. Wie im vorangegangenen Teil der Arbeit wird das dielektrische Absorptionsverhalten studiert. Auch für HKMG Transistoren wird der zeitabhängige dielektrische Durchbruch bei alternierendem elektrischem Stress und die Rolle von Defekten in Form von Sauerstofffehlstellen beleuchtet.


Wollen auch Sie Ihre Dissertation veröffentlichen?

cover cover cover cover cover cover cover cover cover
Inhaltsverzeichnis (PDF)

Keywords:

  • Halbleiterspeicher
  • Zirkondioxid
  • Hafniumdioxid
  • dynamische Arbeitsspeicher
  • DünneOxide

KAUFOPTIONEN

49.50 €
auf Lager
Versandkostenfrei innerhalb Deutschlands

41.00 €
59.50 €
63.50 €

(D) = innerhalb Deutschlands
(W) = außerhalb Deutschlands

*Sie können das eBook (PDF) entweder einzeln herunterladen oder in Kombination mit dem gedruckten Buch (eBundle) erwerben. Der Erwerb beider Optionen wird über PayPal abgerechnet - zur Nutzung muss aber kein PayPal-Account angelegt werden. Mit dem Erwerb des eBooks bzw. eBundles akzeptieren Sie unsere Lizenzbedingungen für eBooks.

Bei Interesse an Multiuser- oder Campus-Lizenzen (MyLibrary) füllen Sie bitte das Formular aus oder schreiben Sie eine email an order@logos-verlag.de