MENÜ MENÜ  

cover

Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika

Kristian Hafkemeyer

ISBN 978-3-8325-2791-4
197 pages, year of publication: 2011
price: 36.50 €
Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
Diese Arbeit beschreibt experimentelle und atomistische Simulationen zur Zuverlässigkeitsanalyse von integrierten MOS-Transistoren in einer 130nm CMOS-Technologie. Eine Teststruktur mit mehr als 1.024 Einzelelementen zur automatischen Erhebung einer großen Statistik bezüglich der Analogeigenschaften der Transistoren wurde hergestellt. Zusätzlich zu den elektrischen Analysen des Transistors wurden atomistische Modelle des Dielektrikums aufgebaut, um mittels quantenchemischen Simulationen die Degradation näher zu untersuchen und die Simulationsdaten mit dem Experiment zu vergleichen.

Keywords:
  • CMOS
  • MOS-FET
  • Gatedielektrika
  • Degradation
  • Matrix-Teststrukturen

BUYING OPTIONS

36.50 €
in stock
cover cover cover cover cover cover cover cover cover